Estudo das Propriedades Elétricas de Nanofios Semicondutores de ZnO, SnO e ZnO dopado com Sn
nanofios semicondutores; ZnO; SnO; ZnO:Sn; KPFM; propriedades eletrônicas.
Neste trabalho, foram estudadas as propriedades morfológicas e elétricas de nanofios (NFs) semicondutores de ZnO, ZnO dopado com estanho (ZnO:Sn) e SnOx, crescidos sobre substratos de silício por deposição química em fase de vapor (CVD). O estudo avalia como a dopagem e a variação da composição química influenciam a morfologia, o potencial de superfície e a função trabalho dessas nanoestruturas. As análises morfológicas e eletrônicas revelam que a incorporação de estanho no ZnO promove alterações significativas na topografia e no comportamento eletrônico dos nanofios, resultando em uma redução da função trabalho e em modificações no potencial de superfície. Os nanofios de SnOₓ apresentam morfologia mais irregular e comportamento eletrônico parcialmente metálico, enquanto os nanofios de ZnO:Sn exibem características intermediárias entre o ZnO puro e o SnOₓ, indicando um equilíbrio entre a manutenção da ordem cristalina e a introdução de perturbações locais associadas à dopagem. Os resultados demonstram que o controle da composição química e da dopagem constitui um fator determinante na engenharia das propriedades eletrônicas de nanofios semicondutores, evidenciando o potencial desses materiais para aplicações em sensores e dispositivos optoeletrônicos.